商品名稱:氮化鎵晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG?HDSOP?16
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IGLT65R110D2氮化鎵功率晶體管可提高高頻工作時的效率。作為 CoolGaN? 650 V G5 系列的一部分,它符合最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),實現(xiàn)了具有卓越效率的高可靠性設(shè)計。它采用頂部冷卻 TOLT 封裝,專為各種工業(yè)應(yīng)用中的最佳功率耗散而設(shè)計。
特性(IGLT65R110D2)
650 V 電子模式功率晶體管
超快開關(guān)
無反向恢復(fù)電荷
可反向傳導(dǎo)
低柵極電荷、低輸出電荷
卓越的換向堅固性
低動態(tài) RDS(on)
高 ESD 魯棒性:2 kV HBM - 1 kV CDM
頂部冷卻封裝
通過 JEDEC 認(rèn)證(JESD47、JESD22)
優(yōu)勢(IGLT65R110D2)
支持高工作頻率
實現(xiàn)最高系統(tǒng)效率
實現(xiàn)超高功率密度設(shè)計
支持節(jié)省 BOM 成本
規(guī)格(IGLT65R110D2)
產(chǎn)品種類: GaN 場效應(yīng)晶體管
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-HDSOP-16
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 15 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 140 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V
Qg-柵極電荷: 3.4 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
應(yīng)用(IGLT65R110D2)
用于電信基礎(chǔ)設(shè)施的 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換
數(shù)據(jù)中心和計算解決方案
電動汽車充電
工業(yè)電源
光伏
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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