商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHTFN-9
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1680 件
IQD020N10NM5CGSC OptiMOS? 功率 MOSFET 100 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有 2,05 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的熱性能,易于功率損耗管理。
IQD020N10NM5CGSC特征
尖端的 100 V 硅技術(shù)
出色的 FOM
改進(jìn)的熱性能
超低寄生
最大化芯片/封裝比
中心柵極基底面
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
IQD020N10NM5CGSC規(guī)格
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 26A(Ta),276A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 2.05 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 159μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 134 nC @ 10 V
Vgs(最大值) :±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 9500 pF @ 50 V
功率耗散(最大值): 3W(Ta),333W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
IQD020N10NM5CGSC優(yōu)勢(shì)
最佳開關(guān)性能
傳導(dǎo)損耗最小
快速開關(guān)
降低電壓過沖
提高最大電流能力
需要并聯(lián)的器件更少
5x6 基底面上的 RDS(on) 最低
易于熱管理
IQD020N10NM5CGSC應(yīng)用
低壓驅(qū)動(dòng)
多軸飛行器
汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)
輕型電動(dòng)車
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IKA15N60T
IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 TRENCHSTOP? 系列。IPW60R120P7
IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET。IKW75N65EH5
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬開關(guān) IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中,被定義為 “同類最佳 ”IGBT。BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進(jìn)的技術(shù),封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,具有獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。電話咨詢:86-755-83294757
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