商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:24+
封裝:64-UFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
STM32L451REI6器件是帶FPU的超低功耗80 Mhz Arm Cortex-M4 MCU,具有512-KB Flash存儲(chǔ)器和DFSDM。
Cortex-M4內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元(FPU)單精度,支持所有Arm單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了一整套DSP指令和一個(gè)存儲(chǔ)器保護(hù)單元(MPU ),增強(qiáng)了應(yīng)用的安全性。
STM32L451REI6的規(guī)格:
核心處理器:ARM? Cortex?-M4
內(nèi)核規(guī)格:32 位單核
速度:80MHz
連接能力:CANbus,I2C,IrDA,LINbus,MMC/SD,QSPI,SAI,SPI,UART/USART
外設(shè):欠壓檢測/復(fù)位,DMA,PWM,WDT
I/O 數(shù):52
程序存儲(chǔ)容量:512KB(512K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型:閃存
EEPROM 容量:-
RAM 大?。?60K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 16x12b; D/A 1x12b
振蕩器類型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
等級:-
資質(zhì):-
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:64-UFBGA(5x5)
封裝/外殼:64-UFBGA
基本產(chǎn)品編號:STM32L451
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…STGW40H120DF2
STGW40H120DF2是一種IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于H系列,具有1200V的耐壓和40A的電流處理能力。?該器件采用先進(jìn)的溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),具有高效能、快速開關(guān)和低導(dǎo)通損耗的特點(diǎn)。其技術(shù)規(guī)格如下:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - …STGW30V60DF
STGW30V60DF是一款600V超高速溝槽柵場截止V系列IGBT,采用TO-247-3封裝,適用于需要高速開關(guān)和高效率的應(yīng)用場景?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A電流 - 集電極脈沖 …STGW10M65DF2
STGW10M65DF2器件是一款I(lǐng)GBT,采用先進(jìn)的專有溝槽柵極場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)而成。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:…電話咨詢:86-755-83294757
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