IFF750B12ME7B11 EconoDUAL? 3 1200 V、750 A 雙 TRENCHSTOP? IGBT7 模塊,帶發(fā)射極受控 7 二極管、NTC、集成分流器和 PressFIT 觸點技術。
IFF750B12ME7B11器件規(guī)格
IGBT 類型: 溝槽型場截止
配置: 半橋逆變器
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 750 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值): 1.75V @ 15V,750A
電流 - 集電極截止(最大值): 51 μA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies): 115000 pF @ 25 V
輸入: 標準
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: 模塊
產品應用
? 商用農用車
? 大功率轉換器
? 電機驅動器
? 伺服驅動器
? 不間斷電源系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結 (SJ) MOSFET。IKW75N65EH5
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬開關 IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中,被定義為 “同類最佳 ”IGBT。BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進的技術,封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器,具有獨立的高壓側和低壓側參考輸出通道。電話咨詢:86-755-83294757
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