商品名稱:IMW120R040M1HXKSA1
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數量:240 件
IMW120R040M1HXKSA1 采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進的溝槽工藝,該工藝經過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200 V開關器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復損耗、關斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點電壓的導通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關和諧振開關拓撲結構,如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。
特征描述
出類拔萃的開關損耗和導通損耗
高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關斷柵極電壓,實現簡單的柵極驅動
寬柵源電壓范圍
堅固的低損耗體二極管,適用于硬開關
關斷損耗受溫度影響小
.XT擴散焊技術,可實現一流的熱性能
優(yōu)勢
最高效率
減少冷卻工作
更高頻率的運行
增加功率密度
降低系統的復雜程度
應用領域
不間斷電源(UPS)
電池化成
電動汽車快速充電
電機控制和驅動
太陽能系統解決方案
型號
品牌
封裝
數量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯系我公司并給出對應的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答:可以通過網站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現超低導通損耗。技術參數IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間:9:00-18:00
聯系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: