商品名稱:IPAN70R360P7S
數(shù)據(jù)手冊:IPAN70R360P7S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO220-FP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPAN70R360P7S是英飛凌科技公司率先采用超級結 (SJ) 原理設計的高電壓功率 MOSFET 的革命性技術。是一個優(yōu)化的平臺,專門針對成本敏感的消費應用而設計。該系列提供了快速開關的超級結 MOSFET 的所有優(yōu)點,同時還具有出色的價格/性能比和最先進的該技術符合最高能效標準,支持高功率密度,使客戶能夠實現(xiàn)超薄設計。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):700 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):12.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):360 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 150μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):16.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):517 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):26.5W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應商器件封裝:PG-TO220-FP
封裝/外殼:TO-220-3 整包
應用
● 用于飛返桌面,例如用于充電器、適配器、照明等
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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