商品名稱(chēng):1ED3890MU12M
數(shù)據(jù)手冊(cè):1ED3890MU12M.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:16-BSSOP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
1ED3890MU12M 是單通道 5.7 kV(有效值)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 IC。它提供可調(diào)控制和保護(hù)功能,包括 DESAT、軟關(guān)斷、UVLO、米勒鉗位(用于外部 MOSFET 的鉗位驅(qū)動(dòng)器)、兩級(jí)關(guān)斷 (TLTO) 和故障,可簡(jiǎn)化高可靠性系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。所有參數(shù)調(diào)整均通過(guò) I2C 接口(引腳 SDA 和 SCL)從輸入端完成。
產(chǎn)品特性
650 V、1200 V、1700 V、2300 V IGBT、SiC 和 Si MOSFET
40 V 絕對(duì)最大輸出電源電壓
±3 A、±6 A 和 ±9 A 的典型匯入和匯出峰值輸出電流
獨(dú)立的源輸出和匯輸出,用于硬開(kāi)關(guān)或可選的兩級(jí)關(guān)斷,并帶有主動(dòng)米勒鉗位
用于參數(shù)配置和狀態(tài)寄存器讀取的 I2C 總線
帶故障輸出的精確、可調(diào)、溫度補(bǔ)償 VCEsat 檢測(cè) (DESAT)
檢測(cè)到失飽和后,可調(diào)節(jié) IGBT 軟關(guān)斷
可在高達(dá) 125 °C 的高溫環(huán)境下運(yùn)行,160 °C 時(shí)過(guò)溫關(guān)斷(±10 °C)
高共模瞬態(tài)抗擾度 CMTI = 200 kV/μs
節(jié)省空間的小型 DSO-16 細(xì)間距封裝,爬電距離大(>8 mm)
潛在應(yīng)用
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 - 緊湊型、標(biāo)準(zhǔn)型、高級(jí)伺服驅(qū)動(dòng)器
太陽(yáng)能逆變器
UPS 系統(tǒng)
焊接
商用車(chē)和農(nóng)用車(chē) (CAV)
商用空調(diào) (CAC)
高壓隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
隔離式開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號(hào):IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類(lèi)型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)充電解決方案、太陽(yáng)能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本。…IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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