商品名稱:FF4MR20KM1H
數(shù)據(jù)手冊:FF4MR20KM1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:0 件
FF4MR20KM1H 62 毫米 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊 2000 V、3.5 mΩ G1,采用眾所周知的 62 毫米外殼設計和 M1H 芯片技術。還可提供預涂熱界面材料 (TIM)。
產(chǎn)品特性
技術:碳化硅 (SiC)
配置:2 個 N 溝道
技術:碳化硅 (SiC)
漏極至源極電壓 (Vdss): 2000 V(2 kV)。
25°C 時的連續(xù)漏極電流 (Id): 280A (Tc)。
不同 Id、Vgs 時的開關電阻(最大值):300A、18V 時為 5.3 毫歐
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 5.15V @ 168mA
最大 Vgs 時的柵極電荷 (Qg): 1170nC @ 18V
最大 Vds 時的輸入電容 (Ciss): 36100pF @ 1.2kV
工作溫度:-40°C ~ 175°C
安裝類型:機箱上
包裝/外殼:模塊
電源包括:AG-62MMHB
應用
● 儲能系統(tǒng)
● 電動汽車充電
● 光伏
● 牽引
● 不間斷電源 (UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器,具有獨立的高壓側和低壓側參考輸出通道。電話咨詢:86-755-83294757
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