商品名稱:TLF12501
數(shù)據(jù)手冊:TLF12501.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:QFN-36
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
TLF12501 集成電源級包含一個(gè)低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,該 IC 與控制和同步 MOSFET 共同封裝。
特點(diǎn)
集成驅(qū)動(dòng)器、控制 MOSFET Q1 和同步 MOSFET Q2
片上 MOSFET 電流檢測和報(bào)告,5uA/A。
輸入電壓 (VIN) 范圍為 4.25 V 至 16 V
VCC 和 VDRV 供電電壓為 4.25 V 至 5.5 V
VIN = 12 V 時(shí),輸出電壓范圍為 0.225 V 至 5.5 V
輸出電流能力為 60 A
工作頻率高達(dá) 2 MHz
VDRV 欠壓鎖定 (UVLO)
啟動(dòng)欠壓保護(hù)
8mV / °C 溫度模擬輸出
過溫保護(hù)和熱關(guān)斷
逐周期過流保護(hù) (OCP) 和標(biāo)記
控制 MOSFET 短路 (HSS) 檢測和標(biāo)記
自舉電容器自動(dòng)補(bǔ)電
兼容 3.3 V 三態(tài) PWM 輸入
PWM 三態(tài)(1.6 mA typ)20 μs 后自動(dòng)進(jìn)入休眠模式
深度休眠模式,通過 EN= 低電平(32 μA typ)實(shí)現(xiàn)省電
小型 5 mm x 6 mm x 0.9 mm PQFN 封裝
符合 RoHS 規(guī)范的無鉛封裝
符合汽車 AEC-Q100 Rev H 1 級要求
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Maxim
WLP-16
1000
專業(yè)電源管理 (PMIC) 配備 4 個(gè)輸出 SIMO 的 Nano Power PMIC 可提供高達(dá) 1.25W 的輸出功率
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號:IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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