商品名稱:CY8C624AAZI-S2D14
數(shù)據(jù)手冊(cè):CY8C624AAZI-S2D14.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:128-LQFP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
CY8C624AAZI-S2D14性能系列微控制器基于超低功耗40nm平臺(tái),結(jié)合了Arm? Cortex?-M4和Arm? Cortex?-M0+ CPU。這些設(shè)備包括低功耗閃存技術(shù)、可編程數(shù)字和模擬資源,以及同類(lèi)最佳的CAPSENSE?技術(shù),適用于觸摸和接近應(yīng)用。性能系列微控制器通過(guò)硬件加密加速器、存儲(chǔ)器和外圍保護(hù)單元提供內(nèi)置在平臺(tái)架構(gòu)中的安全性。PSoC 62專(zhuān)為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而設(shè)計(jì),如可穿戴設(shè)備、智能家居、工業(yè)IoT、便攜式醫(yī)療設(shè)備等。
產(chǎn)品屬性
核心處理器:ARM? Cortex?-M0+,ARM? Cortex?-M4F
內(nèi)核規(guī)格:32 位雙核
速度:100MHz,150MHz
連接能力:eMMC/SD/SDIO,F(xiàn)IFO,I2C,IrDA,LINbus,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART,USB
外設(shè):掉電檢測(cè)/復(fù)位,CapSense,I2S,LCD,LVD,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):102
程序存儲(chǔ)容量:2MB(2M x 8)
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存
RAM 大?。?M x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):1.7V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 16x12b SAR,10b 三角積分; D/A 2x7/8b
振蕩器類(lèi)型:外部,內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:128-LQFP
供應(yīng)商器件封裝:128-TQFP(14x20)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPW60R024CM8
IPW60R024CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…IPW60R055CM8
IPW60R055CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…IPZA60R055CM8
IPZA60R055CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號(hào):IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類(lèi)型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)…電話咨詢:86-755-83294757
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