商品名稱:S29GL512T10FHI020
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:FBGA-64
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
S29GL512T10FHI020 是采用 45 納米工藝技術制造的 MIRRORBIT? 閃存產品。這些器件的快速頁面訪問時間快達 15 ns,相應的隨機訪問時間快達 100 ns。這些器件具有寫入緩沖器,一次操作最多可對 512 字節(jié)進行編程,因此有效編程時間比標準編程算法更快。因此,這些器件非常適合當今需要更高密度、更高性能和更低功耗的嵌入式應用。
功能特點
? 45 納米 MIRRORBIT? 技術
? 用于讀取/編程/擦除的單電源(VCC)(2.7 V 至 3.6 V)
? 多功能 I/O 功能
- 寬 I/O 電壓范圍 (VIO): 1.65 V 至 VCC
? ×8/×16 數據總線
? 異步 32 字節(jié)頁面讀取
? 512 字節(jié)編程緩沖區(qū)
- 以頁面倍數編程,最大可達 512 字節(jié)
? 單字和多字編程選項
? 自動錯誤檢查和糾正 (ECC) - 具有單位錯誤糾正功能的內部硬件 ECC
? 扇區(qū)擦除
- 統(tǒng)一的 128-KB 扇區(qū)
? 用于編程和擦除操作的暫停和恢復命令
? 狀態(tài)寄存器、數據輪詢和就緒/忙引腳方法可確定設備狀態(tài)
? 高級扇區(qū)保護 (ASP)
- 每個扇區(qū)的易失性和非易失性保護方法
? 獨立的 2048 字節(jié)一次性編程 (OTP) 陣列
- 四個可鎖定區(qū)域(SSR0-SSR3)
- SSR0 出廠時已鎖定
- SSR3 為密碼讀取保護
- 通用閃存接口 (CFI) 參數表
? 溫度范圍/等級
- 工業(yè)級(-40°C 至 +85°C)
- 汽車,AEC-Q100 3 級(-40°C 至 +85°C)
? 100,000 次編程/擦除循環(huán)
? 20 年數據保存期
型號
品牌
封裝
數量
描述
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